中国首台5纳米光刻机(60岁创办中微半导体!自研出首台5nm刻蚀机,确立了技术地位领先)

本文目录
- 60岁创办中微半导体!自研出首台5nm刻蚀机,确立了技术地位领先
- 2000万一台,这才是国之重器,台积电5nm的必需设备,什么情况
- 中国首台5纳米光刻机在哪里,
- 半导体设备后起之秀 | 中微半导体“杀入”5nm工艺供应链
- 中国的光刻机是什么水平与世界先进还有多大差距如何追赶
- 央视: 中国中微正式宣布掌握5nm刻蚀机技术!
- 中科院突破5nm激光光刻技术,激光光刻机横空出世荷兰再见
- 5nm激光光刻技术,是否预示着我们即将能取代ASML
- 国产5nm光刻技术不存在中科院紧急辟谣:国产只有180nm
- 中科院正式宣布,已研发出5nm光刻技术,距离造成5nm芯片还要多久
60岁创办中微半导体!自研出首台5nm刻蚀机,确立了技术地位领先
近两年,我国半导体行业的发展速度很快,但和美国等 科技 巨头相比较,技术仍是落后别人,但是国内产生所自研的技术、设备都能达到世界领先水平。最成功的案例莫过于蚀刻机设备,国内芯片企业所自研的蚀刻机已打破海外的技术垄断。
很多人都不清楚,蚀刻机的重要性并不低于光刻机,两者皆是生产高端芯片的重点设备。
但是,我国的光刻机设备一直处于十分落后的状态,很难让国内半导体厂商生产出高端芯片工艺。而蚀刻机在我国却是特别先进,用于下一代新高端工艺芯片生产,也是绰绰有余。
据了解,中微半导体的所自研的高精度蚀刻机已达到5nm,是国内半导体高端设备的顶尖存在,更是国际半导体行不可忽视的力量。在全球半导体设备企业满意度调查中,中微半导体公司排进世界第三,这也说明很多客户对于中微半导体产品是非常认可的。
要知道,中微半导体之所可以取得今日的巨大成就,完全离不开中微半导体创始人尹志尧,尹志尧拥有200多项各国专利和86项美国专利,而在美国硅谷也是具有一定影响力的华人之一。60岁时的尹志尧身披荣誉,决定携带团队回国创业。
尹志尧携团队回国,创办了中微半导体公司,并且展开对蚀刻机设备的研发,仅仅几年时间,中微半导体企业便自研出第一代介质刻蚀机,该蚀刻机采用单独操作双反台,该设备相比其它蚀刻机效率提升了30%,中微半导体也在市场上获得了好名声。
随着中微半导体的创新技术不断产出,在一段时间当中,中微半导体毅然遭到了美国技术的封锁,直到2015年期间,美国才放弃对中微半导体公司的技术封锁。
中微半导体成立的第11年,中微半导体再次自研出首台最先进的5nm刻蚀机,自此,中国的5nm蚀刻机在全球确立了5nm刻蚀机技术的地位领先。
现如今的中微半导体5nm蚀刻机设备已和台积电等芯片代工企业采购,目前,对于国内的芯片产业链来看,中微半导体已经可以长久的供应技术维持。
对于中微半导体公司的未来发展你怎么认为?
2000万一台,这才是国之重器,台积电5nm的必需设备,什么情况
在半导体行业中,如果一家公司想占据领先地位,则技术,材料和设备这三个关键因素必不可少,如果只有技术而没有材料和设备的支持,那么这只是纸上谈兵,反之亦然,毫无疑问,着眼于著名的芯片巨头,他们在这三个方面都有发言权,因此他们可以占领大部分市场,半导体原材料没什么可说的,由于芯片主要基于单晶硅,即载体,因此全球所有材料制造商都在围绕基于硅的芯片开展业务,尽管我们的国内材料领域不是优势,但我们也取得了一些明显的突破,例如,国内高端光刻胶的诞生一举打破了外国的垄断,对于设备而言,这甚至更为重要,因为如果没有相关设备的支持,就无法制造芯片,对于更核心的半导体设备,大多数人必须第一次想到光刻机。
作为芯片制造过程中的关键机器,光刻机对于所有半导体公司都是相同的,有一个关键意义,举一个简单的例子,我们之所以无法征服中国的7nm芯片流程,是因为到目前为止我们还没有EUV光刻机,即使我们想以高价从国外进口,其他人也看不到会卖,另外,世界上只有ASML可以产生EUV光刻机,并且数量非常稀少,并且将由米国控制,因此,今天光刻机的短缺仍然是国内芯片面临的主要问题,尽管华为和中科院以及其他技术公司或机构已开始全面部署,但仍需要一定的时间,突破,但是,撇开光刻机而言,中国的核心设备已达到世界领先地位,这是国之重器。
该设备的名称为刻蚀机,可能不如光刻机知名,但它也起着关键作用,并为芯片的制造提供了最基本的支持,刻蚀机主要用于处理硅晶片,使硅晶片产生一系列化学反应,以便它们可以携带各种复杂的集成电路,除了光刻机,芯片是产业链中另一个不可或缺的设备,相关数据表明,光刻机和刻蚀机一起占芯片制造总成本的四分之一,其重要性可想而知,尽管刻蚀机的精度比光刻机的精度低一级,但普通公司很难做到这一点,目前,只有少数制造商可以在全球范围内生产高端刻蚀机,其中包括我们国内的中国微电子学半导体,由其独立开发的刻蚀机已在高端市场中立足并进入了5nm流程,价格为每单位2000万个单位,这是台积电5nm生产线,必要的设备。
中微半导体一直坚持低调发展的原则,因此大多数人从未听说过它,但是其技术实力在中国是首屈一指的,公开资料显示,中国微半导体成立于2004年,已有十余年的历史,但是,在尹志耀的领导下,中国微电子取得了一些成就,5nm刻蚀机是最好的例子,中国微电子不仅拥有研发能力,而且还完成了批量生产和向客户供货,从而获得了更大的发展空间,据了解,在中国微电子公司半导体突破5nm刻蚀机之后,世界上最大的芯片铸造厂台积电立即走上了寻求合作的大门,现在中国微电子5nm刻蚀机已开始成为台积电5nm的生产线提供设备支持,这意味着家用半导体设备正在不断改进,而台积电的认可足以证明ChinaMicro半导体的实力,现在刻蚀机取得了重大进展,国产光刻机会远远落后吗?相信在许多国内公司的努力下,这两个国之重器将在未来达到新的高度。
中国首台5纳米光刻机在哪里,
现在国产的最高端的光刻机器能达到90纳米的分辨率,经过三次曝光最高可以达到22nm左右的水平。所以中国现在最先进的光刻机只能生产22nm的芯片,离生产5nm芯片还差很远。所以,中国现在还没有5nm光刻机。
半导体设备后起之秀 | 中微半导体“杀入”5nm工艺供应链
半导体制造设备和材料是半导体行业最上游的环节。目前来看,集成电路设备制造是中国芯片产业链中最薄弱的环节。经过20多年的追赶,中国与世界在芯片制造领域仍有较大差距。虽然中国在该领域整体落后,但刻蚀机方面已在国际取得一席之地。
全球半导体设备市场的后起之秀
随着近些年 社会 对集成电路的重视和大批海外高端人才的回归,我国的集成电路在这几年出现了飞速的发展。在IC设计(华为海思)、IC制造(中芯国际)、IC封测(长电 科技 )、蚀刻设备(中微半导体)上出现了一批批优秀的企业。
1、半导体设备
我们的主角中微半导体所在的领域就是半导体设备细分行业,这个行业主要有两种半导体设备,一是光刻机,一个是刻蚀机。中微是以刻蚀机为主要设备的供应商,去年12月公司自主研制的5nm等离子体刻蚀机正式通过台积电验证,将用于全球首条5nm制程生产线。
芯片,这个从前被戏称为:除了水和空气,其他都是进口的行业。最近中美贸易战的焦点就是在芯片领域,美国政府对华为的封锁就是下令美国供应商没有经过国会批准不准买给华为芯片。这也是我们非常气愤的地方,为什么中微半导体有了最先进的设备还是会受人制肘呢?
主要是我国的短板在于光刻机,与国外先进技术有非常大的差距。为什么刻蚀机技术那么好,不能弥补这个短板吗?这就是光刻机和蚀刻机的不同,有一部分人把蚀刻机与光刻机搞混。其实两者的区别非常的大,光刻机是芯片制造的灵魂,而蚀刻机是芯片制造的肉体。
光刻机把电路图投影到覆盖有光刻胶的硅片上面,刻蚀机再把刚才画了电路图的硅片上的多余电路图腐蚀掉。光刻机把图案印上去,然后刻蚀机根据印上去的图案刻蚀掉有图案(或者没有图案)的部分,留下剩余的部分就是集成电路。所以说这是两个过程要用到的设备,而且这两个过程是连续的。
我国光刻机的最高水平是上海微电子的90nm制程,世界顶尖的光刻机是ASML的7nm EUV光刻机,ASM已经开始研制5nm制程的光刻机。相对来说,我国在光刻机制造领域与国际先进水平有很大的差距,高端光刻机全部依赖进口。只能说我国的刻蚀机技术领先,中微半导体的介质刻蚀机、硅通孔刻蚀机位于全球前三。但是在整个产业链的产能和技术上,与一些大型的企业差距非常的大,所以在中美贸易战中显得很吃亏。
那我们说完了中微半导体这个单独的行业领域,现在放眼整个行业,来看看半导体设备到底在这个行业中扮演者什么角色?
2、半导体产业
半导体的发展是越来越集成化,越来越小。从早期的电子管到现在的7nm器件,一个小小的芯片上需要有几百个步骤和工艺,显示出高端技术的优越性。也正是这样的行业特点,导致整个行业非常依赖技术的创新。而半导体设备是制作芯片的基石,没有这一块芯片不可能出现。
可以看到虽然产值低,但是缺这个还真的没办法发展下游。这也是贸易战在芯片领域为什么大打出手的原因,没有先进的技术,很难发展非常广大的信息系统。可以说这一行创造的价值并不高,但是不能缺少,是高端技术的积累。
大国重器:7nm芯片刻蚀机龙头
在技术含量极高的高端半导体产业中,能与美欧日韩等国际巨头同台较量的中国企业凤毛麟角,而中微半导体是其中一家。中微半导体是一家以中国为基地、面向全球的高端半导体微观加工设备公司,主要从事半导体设备的研发、生产和销售。而要了解中微这家公司,先不得不介绍一下公司创始人尹志尧。
尹志尧是一个颇具传奇色彩的硅谷技术大拿。
1980年赴美国加州大学洛杉矶分校攻读物理化学博士,毕业后进入英特尔中心研究开发部工作,担任工艺程师;1986年加盟泛林半导体,开发了包括Rainbow介质刻蚀机在内的一系列成功的等离子刻蚀机,使得陷入困境的泛林一举击败应用材料,跃升为全球最大的等离子刻蚀设备制造商,占领了全球40%以上的刻蚀设备市场。
以此同时,泛林与日本东京电子合作,东京电子从泛林这里学会了制造介质等离子体刻蚀机,复制其Rainbow设备在日本销售,后来崛起为介质刻蚀的领先公司。
1991年,泛林遭老对手美国应用材料挖角,尹志尧先后历任应用材料等离子体刻蚀设备产品总部首席技术官、总公司副总裁及等离子体刻蚀事业群总经理、亚洲总部首席技术官。
为了避免知识产权风险,尹志尧从头再来,用不同于泛林时期开发的技术,研发出性能更好的金属刻蚀、硅刻蚀和介质刻蚀设备,应用材料再次击败泛林,重返行业龙头地位,到2000年,应用材料占据了40%以上的国际刻蚀设备市场份额。
目前全球半导体刻蚀设备领域三大巨头——应用材料、泛林、东京电子,都与尹志尧的贡献密切相关。
2004年8月,已年届六旬的尹志尧带领15名硅谷资深华裔技术工程师和管理人员回国,创立了中微半导体,并在短短数年之间崛起为全球半导体设备领域的重要玩家。
中微从2004年创立时,首先着手开发甚高频去耦合的CCP刻蚀设备Primo D-RIE,到目前为止己成功开发了双反应台Primo D-RIE,双反应台Primo AD-RIE和单反应台的Primo AD-RIE三代刻蚀机产品,涵盖65nm、45nm、32nm、28nm、22nm、14nm、7nm到5nm关键尺寸的众多刻蚀应用。
从2012年开始中微开始开发ICP刻蚀设备,到目前为止己成功开发出单反应台的Primo nanova刻蚀设备,同时着手开发双反应台ICP刻蚀设备。公司的ICP刻蚀设备主要是涵盖14nm、7nm到5nm关键尺寸的刻蚀应用。
这里面看起来是几个似乎不起眼的数据,但里面蕴含了满满的技术含量。而中微到底是否掌握了5nm刻蚀技术,一时间众说纷纭。如今,中微半导体与泛林、应用材料、东京电子、日立4家美日企业一起,组成了国际第一梯队,为全球最先进芯片生产线供应刻蚀机。
中国的光刻机是什么水平与世界先进还有多大差距如何追赶
中国光刻机距离世界先进水平,还有较大的差距。
第一,目前全球最先进的光刻机,已经实现5nm的目标。这是荷兰ASML实现的。
而ASML也不是自己一家就能够完成,而是国际合作才能实现的。其中,制造光源的设备来自美国公司;镜片,则是来源于德国的蔡司公司等。这也是全球技术的综合作用。
第二,中国进口最先进的光刻机,是7nm。
2018年,中芯国际向荷兰ASML公司定制了一台7nm工艺的EUV光刻机,当时预交了1.2亿美元的定金。请注意,当时这台机器还没有交付,而是下订单。
但国内市场上,其实已经有7nm光刻机。在2018年12月,SK海力士无锡工厂进口了中国首台7nm光刻机。海力士也是ASML的股东之一。
第三,目前国产最先进的光刻机,应该是22nm。
根据媒体报道,在2018年11月29日,国家重大科研装备研制项目“超分辨光刻装备研制”通过验收。该光刻机由中国科学院光电技术研究所研制,光刻分辨力达到22纳米。
请注意该报道的标题:“重大突破,国产22纳米光刻机通过验收。”
也就是22nm的光刻机,已经是重大突破。
22nm的光刻机,关键部件已经基本上实现了国产化。“中科院光电所此次通过验收的表面等离子体超分辨光刻装备,打破了传统路线格局,形成一条全新的纳米光学光刻技术路线,具有完全自主知识产权。”
有关报道中的“全新的技术”,也就是中国科研工作者在关键部件完全国产化情况下,实现的这一次技术突破
中国和世界顶尖光刻机制造还有很大差距。
华为麒麟受制于人,中芯国际不堪大用,澎湃芯片久不见进展,虎愤芯片勉强能用。
实用更是有很远的路要走。
大家放平心态。
央视: 中国中微正式宣布掌握5nm刻蚀机技术!
当中国中微公司宣布已经掌握5nm刻蚀机技术并领先全球的时候,有不少国内自媒体再次站出来,义正言辞地宣布中国的芯片制造业已经领先全球,不惧美国、荷兰、德国、日本等高科技国家。
就5nm刻蚀机技术而言,中微确实已经步入世界领先水平,但绝没有像公众号鼓吹的那般“实现弯道超车”。其实芯片制造业的上下游供应商和制造商有很多,中微也仅是在这一个闭环中的一个环节上取得领先地位,但在芯片制造业的整体水平仍是落后状态。
荷兰ASML公司几乎垄断了全球的高端光刻机生产及供应,尤其是EUV光刻机,在2019年仅向全球供应了26台,其中近一半都被提供给了中国台湾的台积电。而中国大陆的中芯国际连续多年向ASML公司提出购买要约,并先期支付巨额交易费用,却迟迟等不到荷兰ASML方面发货的消息。
中科院突破5nm激光光刻技术,激光光刻机横空出世荷兰再见
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美国政府以一国之力打压华为公司的消息,经媒体报道之后,相信大家都非常了解华为目前面临的处境了,但最近中科院率先牵头,将要强势入局芯片领域的消息,也让大家都松了一口气,甚至有媒体报道说,目前中科院已经突破了5毫米的激光光刻机技术,那这是真的吗?对于中科院的 科技 实力,大家还是比较相信和认同的,但是在这么短的时间里就突破这么尖端的高 科技 技术,显然是有些媒体哗众取宠,有些不切实际的报道。以我国现有的科研水平,若想完全突破5毫米光刻机技术,恐怕都还有很长一段路要走,更别说突破5毫米激光光刻机技术了,任何一项科研项目都需要时间的积累,实践的反复研究,经过不懈的努力,才能够最终达成。
就目前而言,中国虽然有最聪明勤奋的科学研究工作者,也还没有攻克5毫米的光刻机技术。世界上目前能够生产和制造最为先进的EUV光刻机,是荷兰的ASML.公司,原本中国几年前就打算从该公司购入光刻机,但是因为美国方面的种种阻挠,这件事情最终变得不了了之。而美国这种“强盗“行径,也让许多中国人看清了美国的真正丑恶面目,也激起了许多国人的愤慨和爱国情绪。
不过好消息是,中科院的科学家目前正准备“换条赛道”,开始研究“碳基芯片”,相比于传统的硅材料芯片,碳基芯片的好处就在于不需要光刻机,采用的是石墨烯材料,其各方面性能都比硅材料要领先许多,但是否可以行得通还是一个未知数,但是作为科学道路上的先行者,相信中国科学家们也深深知道开拓和创新才是他们前行的动力,虽然道路异常艰难,他们也一定会想办法克服的。
因此,对于那些报道不实消息的新闻媒体,大家千万不要相信,尤其是那些妄言激光光刻机横空出世,从此告别荷兰制造的报道,要坚决给予抵制。但同时也要相信我国科学家的科研实力,虽然目前距离突破5毫米的芯片技术,以及与其他国家的 科技 水平还有很大的差距,但随着国家层面的重视,在众多科研工作人员的共同努力下,一定会有质的飞跃和提升。对此,大家怎么认为呢?
5nm激光光刻技术,是否预示着我们即将能取代ASML
5nm激光光刻技术,预示着我们即将能取代ASML,但是5nm激光光刻技术还未安全成熟,因此还是要用ASML技术!
我们一直有这样的想法。我们的雕刻机技术能取代荷兰的ASML雕刻机吗?然后,在中国科学院5nm激光光刻技术的研究和发布之后,这一想法似乎变得越来越确定。
然而,这是真的吗?我们真的能取代荷兰ASML吗?关于这个问题,让我们来看看。
首先,这条信息的来源是 --
中国科学研究员张子珍,国家纳米科学中心研究员刘虔,研究题为 ”制备5nm间隙电极阵列超分辨光刻技术出版在纳诺快递。
本文主要介绍一种新型5纳米超高精度激光光刻加工方法的应用。请注意,这种方法完全可行吗?我们不知道。
然而,我们国家的一些媒体听说风是雨,突然我们觉得我们似乎在雕刻机技术上取得了突破,我们可以更换ASML雕刻机。在这里,我必须倒冷水。
我以前见过荷兰ASML的首席执行官说,即使我们把雕刻机卖给你 (中国),我们也不怕学习雕刻机,因为雕刻机由80000个精密零件组成,例如,德国蔡司的光学透镜和美国的激光发生器目前不能在中国制造。
为什么我们的光刻机很难突破,因为它不仅是一种激光光刻加工方法,还包括各种部件,包括单晶炉、晶圆切丁机 、光刻胶、电子级多晶硅、氟聚酰亚胺等。许多内容被包括日本在内的外国垄断,美国和其他国家。我们真的很想突破,但是有些事情你必须看到。我们仍然受到这些技术的限制。然而,我们也必须知道,如果我们不打破这个限制,那么我们的道路可能会更加困难,这可能是为什么,当我们看到中国科学院的5nm相关研发论文时,我们非常兴奋。我们还猜测,未来在弯道超车是不可避免的,也是不可避免的!
国产5nm光刻技术不存在中科院紧急辟谣:国产只有180nm
在芯片的生产过程中,光刻机是关键设备,而光刻则是必不可少的核心环节。光刻技术的精度水平决定了芯片的性能强弱,也代表了半导体产业的完善程度。我们国内一直希望在这方面取得领先的地位,但是结果却不尽人意。
其实光刻机之所以这么难造,就是因为光刻技术实在是太复杂了,不仅需要顶尖的光源条件,还对精度有着近乎苛刻的要求。目前,全球光刻技术市场基本上被美日两国垄断了,而我们国内正在努力攻克其中的技术难点。
那么光刻到底是一项怎样的工作呢?为什么能难倒这么多国家?大家都知道,芯片的衬底是半导体晶圆,而光刻就是在晶圆上制备芯片的第一步。在光刻过程中,有一项非常重要的材料,名为光掩膜,没有它也就无法将集成电路刻画在晶圆上。
而且光掩膜也有高中低端的层次之分,通过高端光掩膜生产出的芯片更加先进,而低端的就只能用于生产普通芯片了。显然,高端光掩膜也是各个国家青睐的对象,但是这种材料的制备难度非常高,如果精度达不到要求,那么想要突破绝非易事!
就目前的情况来看,国内在光掩膜市场还对国外进口存在一定的依赖,但是随着中科院的突破,这种依赖正在慢慢减轻,以后将会彻底消失。那么如今国内的光刻技术到底达到了何种水平呢?
在讨论这个问题之前,我们先来看看中科院传出的消息,它被很多人过分甚至是错误解读了。今年7月份,中科院发表了一篇论文,研究内容是5nm光刻制备技术,而大部分人都以为这标志着中科院突破到了最先进的5nm极紫外光刻技术。
但是事实却并非如此,据后来该论文的通讯作者刘前在接受媒体采访时表示,中科院研究的5nm光刻制备技术针对的是光掩膜的生产,而不是光刻机用到的极紫外光。也就是说,中科院发表论文不等同于国产光刻机技术达到了5nm水平。
对此,很多国人都在想,难道国产5nm光刻技术不存在?从某种意义上来说,现在这个问题的答案是肯定的,国产5nm确实还遥遥无期。此外,中科院紧急辟谣:5nm光刻技术根本不现实,国产水平只有180nm!
从5nm一下子掉到180nm,这个落差让很多人都接受不了。但需要知道的是,180nm才是国产光刻机技术的真实水平,就算不愿意承认,也必须得面对。如果连自身的不足之处都无法面对,那么何谈攻克技术难题?何谈突破?
毫无疑问,180nm还处于比较落后的状态,这也是国产芯片迟迟无法崛起的主要原因。光刻技术作为光刻机的核心动力,我们国内肯定不会轻易放弃,现在是180nm不代表以后也是180nm,现在无法突破到5nm也不代表以后突破不了!
所以说,我们应该对国产技术和半导体芯片充满信心,只有相信自己,才能不断地自我突破。而且最近一段时间,国内传来了很多好消息,光刻技术也不急于一时。
举个简单的例子,华为旗下的海思半导体正在转型为IDM模式的企业,不仅要掌握芯片设计技术,还准备进军芯片制造市场,成为像三星那样的巨头。此外,华为也宣布了全面布局光刻机的决定,有了它的加入,国产光刻技术将迎来更大的希望!
一项技术就算再难也有一定的限度,但是科研人员的智慧是无限的,所以在国内这么多科研工作者的共同努力下,再难的技术都会被攻克,光刻和光刻机也不例外。相信以后国内一定能实现技术崛起的目标,取得领先的地位!
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中科院正式宣布,已研发出5nm光刻技术,距离造成5nm芯片还要多久
制造5nm芯片还要多久,这个时间很难说,为什么?因为制造5nm芯片我国必须有自己的光刻机。这个机器非常难制造,记得美国用了近二十年的时间才在这方面占据领先位置。现在不同以往,我国追赶的话,要制造5nm芯片长则十年,短则三五年。
要制造光刻机器需要投入很多资源,费钱是肯定的了,主要还要培养人才,突破技术瓶颈,每一个技术人家可能摸索几年十年,如果我国能够快速突破技术瓶颈,这是好事,不过这个急不得,这个时间衡量最少要用年单位,所以这一两年制造出5nm芯片几乎不可能。
当华为中兴为美国层层设限制的时候,很多人已经意识到科技的力量,美国说不卖芯片了,我们能怎么办,并且美国还怂恿别的国家和公司不卖芯片给华为,在5g领域也不想让华为参与,在这种情况下,华为用不了美国的芯片,那么生产出来的手机性价比肯定受到影响,因为芯片是手机的核心。
核心被别人掌控了,自己没有芯片只能自己找路子,所以我国现在必须要发展芯片和半导体,这方面落后,依然会被美国层层设陷。
不过制造这个芯片并不容易了,现在台积电在这方面领先了很多,人家已经在2nm芯片工艺上有所突破,所以现在在制造芯片方面一刻也不能等了。
华为用不了美国的芯片,可以用中芯国际或者联发科的,不过两者的芯片还是比不上人家,比如联发科的天玑720芯片和高通765几乎都是中端芯片,不过性能上720比不上765,测试差距也有百分之30左右吧,这种情况,如果华为用联发科芯片,而别人用高通芯片,那么华为手机性价比就少了一些。
综合来看,5nm芯片没有三几年难以实现,不过如果集合很多很多的资源并且可以光刻机,或者国内某个公司创造奇迹,那么一两年的时间都有可能。

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